特許
J-GLOBAL ID：201003059008331732
フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-122341
公開番号（公開出願番号）：特開2010-237692
出願日： 2010年05月28日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：
【課題】遮光膜のドライエッチング加工時において、従来の遮光膜をもつフォトマスクブランクを用いた場合と比較して、形成するパターンの粗密依存性により生じるパターンサイズ変動を小さくすることができ、より高精度のマスクを製造することが可能になる。【解決手段】透明基板1上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、透明基板1上に他の膜を介して又は介さずに積層されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる遮光膜2と、遮光膜2上に形成されたフッ素系ドライエッチングに耐性を有する金属又は金属化合物からなるエッチングマスク膜4と、エッチングマスク膜上に形成された反射防止膜3とを有するフォトマスクブランク。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
透明基板上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、
透明基板上に他の膜を介して又は介さずに積層されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる遮光膜と、
該遮光膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングに耐性を有する金属又は金属化合物からなるエッチングマスク膜と、
該エッチングマスク膜上に形成された反射防止膜とを有し、
上記反射防止膜が上記エッチングマスク膜とは構成元素が異なる又は構成元素が同一で組成比が異なることを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 G
, H01L21/30 502P
2H095BA01
, 2H095BA07
, 2H095BC05
, 2H095BC09
, 2H095BC11
, 2H095BC13
審査官引用 (11件)
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位相シフトマスクの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-293835
出願人：HOYA株式会社
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特開平4-246649
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特開平4-075059
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