特許
J-GLOBAL ID:201003059219969997

半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-287523
公開番号(公開出願番号):特開2010-111825
出願日: 2008年11月10日
公開日(公表日): 2010年05月20日
要約:
【課題】封止成形時において良好な流動性、硬化性を有し、かつ低吸湿性、低応力性、金属系部材との密着性のバランスに優れ、無鉛半田に対応する高温の半田処理によっても剥離やクラックが発生しない良好な耐半田性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。【解決手段】エポキシ樹脂(A)と、フェノール樹脂系硬化剤(B)と、無機充填材(C)と、単官能フェノール系化合物(D)と、ホスホニウムチタネート、ホスホニウムシリケート、ホスホニウムアルミネートから選ばれた1種以上であるホスホニウム化合物(E)と、を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、並びにその硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。【選択図】なし
請求項(抜粋):
エポキシ樹脂(A)と、 フェノール樹脂系硬化剤(B)と、 無機充填材(C)と、 単官能フェノール系化合物(D)と、 ホスホニウムチタネート、ホスホニウムシリケート、ホスホニウムアルミネートから選ばれた1種以上であるホスホニウム化合物(E)と、 を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (1件):
C08G 59/40
FI (1件):
C08G59/40
Fターム (21件):
4J036AA01 ,  4J036AC03 ,  4J036AD07 ,  4J036AD08 ,  4J036AD12 ,  4J036AF06 ,  4J036AF15 ,  4J036AJ08 ,  4J036DA04 ,  4J036DB05 ,  4J036DB06 ,  4J036DD07 ,  4J036DD08 ,  4J036FA05 ,  4J036FB08 ,  4J036GA04 ,  4J036GA08 ,  4J036GA10 ,  4J036GA23 ,  4J036GA28 ,  4J036JA07
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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