特許
J-GLOBAL ID：201003059327059336

微細試料の加工方法,観察方法,及び装置

発明者：
丸山 英樹

丸山 英樹 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-185923
公開番号（公開出願番号）：特開2010-025682
出願日： 2008年07月17日
公開日（公表日）： 2010年02月04日
要約：
【課題】 薄膜加工位置やマイクロピラー形成位置の指定を、高い位置精度で簡単・迅速に行えるようにする。【解決手段】 集束イオンビーム2による加工領域80の指定に加えて、集束イオンビーム2による非加工領域90の指定を行えるようにし、これら指定した集束イオンビーム2による加工領域80と非加工領域90との組み合わせによって、実際に集束イオンビーム2により加工する任意形状加工領域100の任意形状加工データを得る。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
集束イオンビームを試料に照射して微細試料を作製する微細試料の加工方法であって、 集束イオンビームを実際に照射する試料上の任意形状加工領域の指定を、試料について取得した顕微鏡像上で、集束イオンビームによる加工を行わない非加工領域の指定と、集束イオンビームによる加工を行う加工領域の指定とを用いて行い、 前記加工領域における、前記非加工領域とは重畳しない領域部分に対応する顕微鏡像上での座標を、試料上でのビーム照射位置座標に変換することにより、任意形状加工領域の加工データを作成する 微細試料の加工方法。
IPC (1件)：
G01N 1/28
FI (1件)：
G01N1/28 F
Fターム (8件)：
2G052AA13 ,  2G052AD12 ,  2G052AD32 ,  2G052AD52 ,  2G052EC18 ,  2G052GA33 ,  2G052GA34 ,  2G052JA04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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