特許
J-GLOBAL ID：201003061651163035
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-283546
公開番号（公開出願番号）：特開2010-114152
出願日： 2008年11月04日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：
【課題】高耐圧かつ低オン抵抗なトレンチゲート構造の絶縁ゲート型半導体を提供する。【解決手段】 ゲートトレンチ112の間に、第2導電型のボディ領域106と第2導電型の第1拡散領域107とを導通する第2導電型の第2拡散領域110を設ける。第2拡散領域110とゲートトレンチ112の間には、ドリフト領域105が確保されている。隣合うゲートトレンチ112の間の任意の箇所に任意の個数の第2拡散領域110を設置することができるため、ゲートトレンチ112の設計を変更することなく必要なキャリア供給量を確保することができる。これによって、高耐圧かつ低オン抵抗なトレンチゲート構造の絶縁ゲート型半導体を得ることができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1導電型のドリフト領域の表面に第2導電型のボディ領域が積層されている半導体基板を備えた半導体装置であり、
前記半導体基板の上面から前記ボディ領域を貫通する複数の第1トレンチと、
前記第1トレンチ内に配置されているゲート電極と、
前記ゲート電極を被覆している絶縁膜と、
前記第1トレンチの底部を包囲しており、ドリフト領域によってボディ領域より分離されている第2導電型の第1拡散領域と、
隣り合う第1トレンチの間のボディ領域に設けられており、その一端部がボディ領域に接する一方で他端部が第1拡散領域に接し、ドリフト領域によって第1トレンチから分離されている第2導電型の第2拡散領域と、
を備えている半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/06
, H01L 21/336
H01L29/78 652G
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 652D
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 658B
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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