半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁 , 福岡昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-185811
公開番号（公開出願番号）：特開2010-268007
出願日： 2010年08月23日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：

【課題】膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。【解決手段】基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、処理容器内に原料ガスを供給することで、窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層上に形成された所定元素含有層および窒化層を、酸化層また酸窒化層に変化させる工程と、を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、前記処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、前記処理容器内に前記原料ガスを供給することで、前記窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、前記処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、前記窒化層上に形成された所定元素含有層および前記窒化層を、酸化層または酸窒化層に変化させる工程と、を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/31 , C23C 16/452

FI (7件)：

H01L21/316 P , H01L21/316 X , H01L21/318 B , H01L21/318 C , H01L21/31 C , H01L21/31 B , C23C16/452

Fターム (61件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030BA29 , 4K030BA35 , 4K030BA44 , 4K030EA03 , 4K030FA03 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC03 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AF03 , 5F045BB01 , 5F045BB07 , 5F045CA05 , 5F045DC51 , 5F045DC61 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF08 , 5F045EF09 , 5F045EF13 , 5F045EH12 , 5F045EH18 , 5F045EH19 , 5F045EK06 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF04 , 5F058BF24 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF36 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F058BH01 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化ハフニウム堆積の方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-507521 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
シリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラム
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-197283 出願人：東京エレクトロン株式会社
金属シリケート窒化膜の製造方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-341605 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る