特許
J-GLOBAL ID:201003064824629948

薄板状物品を用いた接続基板の製造方法と接続基板と多層配線板の製造方法と多層配線板と半導体パッケージ用基板の製造方法と半導体パッケージ用基板と半導体パッケージの製造方法と半導体パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-125797
公開番号(公開出願番号):特開2010-199624
出願日: 2010年06月01日
公開日(公表日): 2010年09月09日
要約:
【課題】 研磨が均一に行え、かつ効率的な薄板状物品の加工方法と、その方法を用いて、精度に優れ、強度に優れ、接続信頼性に優れ、かつ必要な箇所のみの接続の行える接続基板とその接続基板を用いた多層配線板と半導体パッケージ用基板と半導体パッケージ並びに効率よくこれらを製造する方法を提供すること。【解決手段】 剛性の高い支持基板の表面に、粘着性を有する樹脂層を形成し、その樹脂層に薄板状物品を貼り合わせて加工を行う薄板状物品の加工方法と、その方法を用いた接続基板と、接続基板の製造方法と、多層配線板と、多層配線板の製造方法と、半導体パッケージ用基板と、半導体パッケージ用基板の製造方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
少なくとも、接続導体となる第1の金属層と、その第1の金属層と除去条件の異なる第2の金属層からなる複合金属層の、第1の金属層を選択的に除去し、2層以上の導体回路の接続する箇所にのみ接続用導体を形成し、その接続用導体を埋めるように絶縁樹脂層を形成した薄板状物品を、剛性の高い支持基板の表面に、粘着性を有する樹脂層を形成し、その樹脂層に薄板状物品を貼り合わせ、接続用導体が露出するように絶縁樹脂層を研磨する工程を有する接続基板の製造方法。
IPC (3件):
H05K 3/20 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/26
FI (3件):
H05K3/20 A ,  H01L23/12 N ,  H05K3/26 F
Fターム (11件):
5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA17 ,  5E343AA18 ,  5E343BB01 ,  5E343BB24 ,  5E343DD56 ,  5E343EE33 ,  5E343EE43 ,  5E343GG08 ,  5E343GG20
引用特許:
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る