ソース-ドレイン電極、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示デバイス

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：植木久一 , 菅河忠志 , 二口治 , 伊藤浩彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-222697
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010801
出願日： 2006年08月17日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】下部バリアメタル層を省略しても優れたTFT特性を発揮し得、ソース-ドレイン配線をTFTの半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。【解決手段】本発明のソース-ドレイン電極34は、窒素含有層と純AlまたはAl合金の薄膜とからなる。窒素含有層の窒素は、薄膜トランジスタの半導体層33のSiと結合しており、純AlまたはAl合金の薄膜は、窒素含有層を介して薄膜トランジスタの半導体層33と接続している。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

窒素含有層と純AlまたはAl合金の薄膜とからなり、該窒素含有層の窒素は、該薄膜トランジスタの半導体層のSiと結合しており、該純AlまたはAl合金の薄膜は、該窒素含有層を介して該薄膜トランジスタの半導体層と接続していることを特徴とするソース-ドレイン電極。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417

FI (4件)：

H01L29/78 616V , H01L29/78 616U , H01L21/28 301R , H01L29/50 M

Fターム (43件)：

4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD21 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104DD63 , 4M104FF08 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F110AA03 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE06 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG35 , 5F110GG45 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK18 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK26 , 5F110HK35 , 5F110HK41 , 5F110HL07 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (5件)

表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-083260 出願人：株式会社東芝
薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-086291 出願人：三菱電機株式会社
薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-086292 出願人：三菱電機株式会社, 株式会社アドバンスト・ディスプレイ

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審査官引用 (7件)

特開昭63-308384
表示デバイスおよびその製法、ならびにスパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-274288 出願人：株式会社神戸製鋼所
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-249984 出願人：株式会社東芝

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