薄膜トランジスタ基板、および表示デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：植木久一 , 菅河忠志 , 二口治 , 伊藤浩彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-265810
公開番号（公開出願番号）：特開2008-118124
出願日： 2007年10月11日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：

【課題】バリアメタル層を省略しても優れたTFT特性を発揮し得、ソース-ドレイン配線をTFTの半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層33と、ソース-ドレイン電極28,29とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース-ドレイン電極28,29は、窒素を含有する窒素含有層、または窒素及び酸素を含有する酸素窒素含有層28a、29aと、純Cu又はCu合金の薄膜28b、29bとからなっている。窒素含有層を構成する窒素の一部若しくは全部、または、酸素窒素含有層を構成する窒素または酸素の一部若しくは全部は、薄膜トランジスタの半導体層33のSiと結合している。また、純CuまたはCu合金の薄膜28b、29bは、窒素含有層または酸素窒素含有層28a、29aを介して薄膜トランジスタの半導体層33と接続している。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタの半導体層と、ソース-ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタ基板において、前記ソース-ドレイン電極は、窒素を含有する窒素含有層、または窒素及び酸素を含有する酸素窒素含有層と、純Cu又はCu合金の薄膜とからなり、前記窒素含有層を構成する窒素の一部若しくは全部、または、前記酸素窒素含有層を構成する窒素または酸素の一部若しくは全部は、前記薄膜トランジスタの前記半導体層のSiと結合しており、前記純CuまたはCu合金の薄膜は、前記窒素含有層または前記酸素窒素含有層を介して前記薄膜トランジスタの前記半導体層と接続していることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (5件)：

H01L29/78 616V , H01L29/78 616K , H01L21/28 301R , H01L29/50 M , H01L21/88 M

Fターム (88件)：

4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104FF08 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104HH05 , 4M104HH08 , 5F033GG04 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH20 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033MM19 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ53 , 5F033QQ58 , 5F033QQ63 , 5F033QQ64 , 5F033QQ73 , 5F033QQ78 , 5F033QQ90 , 5F033RR06 , 5F033SS15 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F033XX20 , 5F033XX28 , 5F033XX29 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F110AA26 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK26 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HK41 , 5F110HL07 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN33 , 5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (11件)

液晶表示装置用アレイ基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-216046 出願人：株式会社東芝
表示デバイスおよびその製法、ならびにスパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-274288 出願人：株式会社神戸製鋼所
Al配線用薄膜及びその製造方法並びにこれを用いた液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-069484 出願人：株式会社アドバンスト・ディスプレイ

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審査官引用 (2件)

半導体装置及びその作製方法、並びにテレビジョン
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-225305 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭63-308384

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