特許
J-GLOBAL ID：200903032756343151
薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-086291
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283934
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 層間絶縁膜のコンタクトホールを介した画素電極とドレイン電極とのコンタクト抵抗値が、安定的に10E4Ω以下にすることができるTFTアレイの製造方法および液晶表示装置を提供する。【解決手段】 本発明の液晶表示装置用TFTの製造方法は、TFTを形成する工程と、前記透明絶縁性基板上に該TFT領域に起因する段差部をなくすように表面が平坦化された層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜のドレイン電極の上部にコンタクトホールを設け、該コンタクトホールを介して下部のドレイン電極と電気的に接続されるように該層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程と、前記層間絶縁膜にコンタクトホール部を形成したのち、該コンタクトホール部に露出した前記下部のドレイン電極の表面を含む基板表面を、コンタクト部表面を清浄化するために表面処理する工程を含んでなるものである。
請求項（抜粋）：
透明絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次設けて薄膜トランジスタを形成する工程と、前記透明絶縁性基板上に該薄膜トランジスタ領域に起因する段差部をなくすように表面が平坦化された透明性樹脂からなる層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜の前記ドレイン電極の上部にコンタクトホールを設け、該コンタクトホールを介して下部のドレイン電極と電気的に接続されるように該層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極とを形成する工程からなる液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法であって、前記層間絶縁膜にコンタクトホール部を形成したのち、該コンタクトホール部に露出した前記下部のドレイン電極の表面を含む基板表面を、コンタクト部表面を清浄化するために表面処理する工程を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/28
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 616 K
, H01L 29/78 627 Z
