特許
J-GLOBAL ID：201003067529520852
化合物半導体基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-076840
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232322
出願日： 2009年03月26日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：
【課題】窒化物半導体層の割れ(クラック)や結晶欠陥、反りの発生を抑制し、かつ生産性の向上が可能な化合物半導体基板を提供する。【解決手段】化合物半導体基板1は、結晶面方位が(111)面であるシリコン単結晶基板10と、シリコン単結晶基板10上に形成され、AlxGa1-xN単結晶(0<x≦1)で構成された第1バッファ層20aおよび20bと、第1バッファ層20aおよび20b上に形成され、厚さが250nm以上350nm以下のAlyGa1-yN単結晶(0≦y<0.1)で構成された第1単層30aと、厚さが5nm以上20nm以下のAlzGa1-zN単結晶(0.9<z≦1)で構成された第2単層30bとが交互に複数積層された第2バッファ層30と、第2バッファ層30上に形成され、少なくとも1層以上の窒化物系半導体単結晶層を含む半導体素子形成領域40と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
結晶面方位が(111)面であるシリコン単結晶基板と、
前記シリコン単結晶基板上に形成され、AlxGa1-xN単結晶(0<x≦1)で構成された第1バッファ層と、
前記第1バッファ層上に形成され、厚さが250nm以上350nm以下のAlyGa1-yN単結晶(0≦y<0.1)で構成された第1単層と、厚さが5nm以上20nm以下のAlzGa1-zN単結晶(0.9<z≦1)で構成された第2単層とが交互に複数積層された第2バッファ層と、
前記第2バッファ層上に形成され、少なくとも1層以上の窒化物系半導体単結晶層を含む半導体素子形成領域と、を備えることを特徴とする化合物半導体基板。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C23C 16/34
, H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
H01L21/205
, C23C16/34
, H01L29/80 H
4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030CA17
, 4K030DA03
, 4K030FA10
, 4K030JA01
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC18
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AF03
, 5F045BB08
, 5F045BB11
, 5F045CA07
, 5F045DA53
, 5F045EB15
, 5F102FA00
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GJ03
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GR01
, 5F102HC01
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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