化合物半導体基板

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：木下茂 , 石村理恵
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-232632
公開番号（公開出願番号）：特開2009-065025
出願日： 2007年09月07日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

【課題】ラマン分光法を用いた簡易な応力測定方法を見出し、これに基づいて、GaN活性層を有する化合物半導体基板において、バッファ層における応力を制御し、全体として応力フリーの化合物半導体基板を提供する。【解決手段】厚さ100〜1000μmの六方晶SiC、単結晶Si、単結晶Si上に立方晶SiC層が形成されたもののうちのいずれかからなる台基板1上に、バッファ層2、厚さ0.5〜5μmのGaN活性層3を順次積層し、前記バッファ層2を、厚さ3〜250nmのAlxGa1-xN単結晶層(0.5<x≦1)2a-1の上に、厚さ3〜250nmのAlyGa1-yN単結晶層(0.2≦y≦0.3)2b-1が形成され、さらに、厚さ3〜250nmのAlxGa1-xN単結晶層2a-nおよび厚さ3〜250nmのAlzGa1-zN単結晶層(0≦z<0.5)2c-nの2層を1組としたものが1〜500組積層されている構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

厚さ100〜1000μmの台基板上に、バッファ層および厚さ0.5〜5μmのGaN活性層が順次積層されている化合物半導体基板であって、前記台基板が、六方晶SiC、単結晶Si、単結晶Si上に立方晶SiC層が形成されたもののうちのいずれかからなり、前記バッファ層は、厚さ3〜250nmのAlxGa1-xN単結晶層(0.5<x≦1)の上に、厚さ3〜250nmのAlyGa1-yN単結晶層(0.2≦y≦0.3)が形成され、さらに、厚さ3〜250nmのAlxGa1-xN単結晶層(0.5<x≦1)および厚さ3〜250nmのAlzGa1-zN単結晶層(0≦z<0.5)の2層を1組としたものが1〜500組積層されてなることを特徴とする化合物半導体基板。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , C30B 29/38

FI (4件)：

H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/80 H , C30B29/38 D

Fターム (45件)：

4G077AA03 , 4G077AB04 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077EF04 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TB05 , 4G077TC14 , 4G077TK01 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045BB13 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F102FA00 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01 , 5F152LL05 , 5F152LN03 , 5F152LN12 , 5F152LN13 , 5F152MM05 , 5F152MM09 , 5F152MM10 , 5F152MM18 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN29 , 5F152NP09 , 5F152NQ09

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-248735 出願人：サンケン電気株式会社
窒化ガリウム系半導体発光素子の評価方法および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-200086 出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (7件)

歪み補償半導体構造および歪み補償半導体構造を製作する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-527540 出願人：クリーインコーポレイテッド
低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-368566 出願人：理化学研究所, 学校法人早稲田大学
化合物半導体装置及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-173602 出願人：ソニー株式会社

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