特許
J-GLOBAL ID：201003068284984951

半導体装置の製造方法

発明者：
増田 秀顯

増田 秀顯 について

, 
渡邉 桂

渡邉 桂 について

, 
大塚 賢一

大塚 賢一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (14件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明 ,  箱崎 幸雄 ,  出口 智也 ,  山ノ井 傑 ,  木本 大介 ,  重野 隆之 ,  平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-135118
公開番号（公開出願番号）：特開2010-283136
出願日： 2009年06月04日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：
【課題】配線表面の酸化膜を除去する際の低誘電率絶縁膜の変質を抑える半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板10上のSiOC膜11表面に配線12を形成する工程と、配線12が表面に形成されたSiOC膜11を希ガス、又は希ガスとN2ガスの混合ガスを含むプラズマに曝してSiOC膜11表面に緻密層14を形成する工程と、緻密層14が形成された後に、配線12の表面に形成された酸化膜13を除去する工程と、酸化膜13が除去された配線12、及び緻密層14上に絶縁膜としての拡散防止膜15を形成する工程と、を含み、酸化膜13を除去する工程から拡散防止膜15を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板上のSiOC膜表面に配線を形成する工程と、 前記配線が表面に形成された前記SiOC膜を希ガス、又は希ガスとN2ガスの混合ガスを含むプラズマに曝して前記SiOC膜表面に緻密層を形成する工程と、 前記緻密層が形成された後に、前記配線の表面に形成された酸化膜を除去する工程と、 前記酸化膜が除去された前記配線、及び前記緻密層上に絶縁膜を形成する工程と、 を含み、 前記酸化膜を除去する工程から前記絶縁膜を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  C23C 16/42 ,  C23C 14/06
FI (4件)：
H01L21/318 M ,  H01L21/90 K ,  C23C16/42 ,  C23C14/06 H
Fターム (50件)：
4K029AA04 ,  4K029BA41 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA37 ,  4K030BA39 ,  4K030BA40 ,  4K030BA41 ,  4K030FA03 ,  4K030LA15 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ07 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX14 ,  5F033XX28 ,  5F058BA20 ,  5F058BB05 ,  5F058BB06 ,  5F058BC02 ,  5F058BC07 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BE04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF21 ,  5F058BF30 ,  5F058BF41 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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