特許
J-GLOBAL ID:201003068439598247

基板処理方法および基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 振角 正一 ,  梁瀬 右司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-303554
公開番号(公開出願番号):特開2010-129809
出願日: 2008年11月28日
公開日(公表日): 2010年06月10日
要約:
【課題】基板表面上の処理液を溶剤で置換した後に当該溶剤を基板表面から除去して当該基板表面を乾燥させる基板処理方法および基板処理装置において、基板表面に水滴が付着するのを防止して乾燥性能を高める。【解決手段】基板表面Wfの上方位置に遮断部材64が配置されている。この遮断部材64の中央部にはIPA液供給路が設けられており、当該IPA液供給路に対してIPA液供給ユニットが接続されており、所定温度にまで加熱された高温の100%IPA液(高温IPA液)を基板表面Wfに向けて吐出可能となっている。そして、置換処理を行う際には、高温IPA液を基板表面Wfに供給することで基板表面Wf上のリンス液を置換している。このため、基板表面Wf上のリンス液が高い置換効率で高温IPA液に置換されてスピン乾燥処理前に基板表面Wf上に残存するリンス液の量を抑制することができる。【選択図】図4
請求項(抜粋):
表面が処理液で濡れた基板を乾燥させる基板処理方法であって、 イソプロピルアルコールを主成分とする溶剤を前記基板表面に供給して前記処理液を前記溶剤で置換する置換工程と、 前記置換工程後に前記基板表面から前記溶剤を除去する除去工程とを備え、 前記置換工程は、前記処理液の温度以上で、かつ前記溶剤の沸点以下の温度に調整された前記溶剤を用いることを特徴とする基板処理方法。
IPC (3件):
H01L 21/304 ,  G02F 1/13 ,  G02F 1/133
FI (4件):
H01L21/304 651B ,  H01L21/304 651H ,  G02F1/13 101 ,  G02F1/1333 500
Fターム (32件):
2H088FA21 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H090JB02 ,  2H090JB03 ,  2H090JC19 ,  5F157AA03 ,  5F157AA66 ,  5F157AB02 ,  5F157AB14 ,  5F157AB16 ,  5F157AB33 ,  5F157AC03 ,  5F157BB22 ,  5F157BB44 ,  5F157CB03 ,  5F157CB13 ,  5F157CB14 ,  5F157CB15 ,  5F157CB22 ,  5F157CE07 ,  5F157CE55 ,  5F157CF14 ,  5F157CF22 ,  5F157CF32 ,  5F157CF44 ,  5F157CF62 ,  5F157CF74 ,  5F157DA21 ,  5F157DB31 ,  5F157DB46 ,  5F157DB51
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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