特許
J-GLOBAL ID:200903039184449420

基板処理方法および基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-340206
公開番号(公開出願番号):特開2008-153452
出願日: 2006年12月18日
公開日(公表日): 2008年07月03日
要約:
【課題】ダメージや乾燥不良の発生を抑制しつつ基板を乾燥させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】DIWによる洗浄処理後のウエハWの表面に、DIWよりも揮発性の高い水溶性有機溶剤であるIPAと、純水よりも表面張力が低く、IPAよりも水溶性の低いフッ素系有機溶剤であるHFEとを含む混合有機溶剤を供給する(ステップS3)。これにより、洗浄処理後のウエハWの表面に残留しているDIWが混合有機溶剤に置換される。その後、HFEのみをウエハの表面に供給して(ステップS4)、ウエハの表面上の混合有機溶剤をHFEに置換する。洗浄処理後のウエハWの表面に残留しているDIWは、当該DIWが混合有機溶剤に置換され、この混合有機溶剤がHFEに置換されることにより、ウエハWの表面から完全に排除される。【選択図】図3
請求項(抜粋):
基板に純水を供給して当該基板の主面を洗浄する洗浄処理工程と、 この洗浄処理工程の後に、水溶性有機溶剤流体と、純水よりも表面張力が小さく、かつ、前記水溶性有機溶剤流体よりも水溶性の低いフッ素系有機溶剤流体とを含む混合有機溶剤流体を前記基板の主面に供給する混合有機溶剤供給工程と、 この混合有機溶剤供給工程の後に、前記水溶性有機溶剤流体を供給せずに、前記フッ素系有機溶剤流体を前記基板の主面に供給するフッ素系有機溶剤供給工程とを含む、基板処理方法。
IPC (1件):
H01L 21/304
FI (2件):
H01L21/304 651B ,  H01L21/304 651H
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 基板乾燥方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-284554   出願人:大日本スクリーン製造株式会社
審査官引用 (7件)
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