特許

J-GLOBAL ID：201003071654550213

相互接続部の通電性能を改善するための構造体及びその製造方法。

発明者： チャールズ・エル・アルビン ,  クリスティーナ・ワレリア・セムコフ ,  ラシッド・ジョゼ・ベザマ ,  ティモシー・ドーリング・サリバン ,  ハリー・デービッド・コックス ,  ティモシー・ハリソン・ドーバンスペック
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (3件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-074774
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251741
出願日： 2010年03月29日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：

【課題】 相互接続部の通電性能を改善するための構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の相互接続構造体は、通電性能(例えば電流拡散)を改善するための高信頼性銅相互接続構造体を提供する。この構造体は、トレンチ内に形成されたアンダー・バンプ金属を含む。アンダー・バンプ金属は、少なくとも1つの付着層と、少なくとも1つのめっき障壁層と、付着層とめっき障壁層の間に設けられた少なくとも1つのめっき導電金属層とを含む。この構造体はさらに、アンダー・バンプ金属の上に形成された半田バンプを含む。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

トレンチ内に形成され、少なくとも1つの付着層と、少なくとも1つのめっき障壁層と、前記付着層と前記めっき障壁層の間に設けられた少なくとも1つのめっき導電金属層とを含む、アンダー・バンプ金属と、 前記アンダー・バンプ金属の上に形成された半田バンプと を備えた構造体。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (6件)：

H01L21/92 602D ,  H01L21/92 602J ,  H01L21/92 603D ,  H01L21/92 604H ,  H01L21/92 604C ,  H01L21/92 604B

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-380697   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• UBMパッド、はんだ接触子及びはんだ接合方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-512742   出願人：フラウンホーファー-ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デル・アンゲヴァンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-150712   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 金属間化合物の成長を抑制したはんだバンプが形成された半導体チップ及びはんだバンプの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-552208   出願人：ネペスコーポレーション
• 銅パッド構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-073057   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 半導体チップのコンタクト電極形成方法、はんだバンプ接続およびその形成方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-549299   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション