特許
J-GLOBAL ID：201003071730235683

薄膜トランジスタを備えた表示素子及びその製造方法

発明者：
康 任局

康 任局 について

, 
金 大元

金 大元 について


出願人/特許権者：
エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド について


代理人 (5件)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  上田 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-293701
公開番号（公開出願番号）：特開2010-282173
出願日： 2009年12月25日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：
【課題】工程を単純化することのできる酸化物薄膜トランジスタを備えた表示素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】表示素子は、第1基板120及び第2基板140と、第1基板の画素領域に形成され、ゲート電極121、ゲート絶縁層126、酸化物半導体層122、並びにソース電極123及びドレイン電極124からなる薄膜トランジスタと、第1基板のゲートパッド領域に形成されたゲートパッド118、及び第1基板のデータパッド領域に形成されたデータパッド119と、ゲートパッド領域のゲート絶縁層上に形成され、コンタクトホールを介してゲート電極に接続する金属層155と、第1基板の全体にわたって形成された保護層128と、画素領域の保護層に形成された画素電極と、ゲートパッド領域に形成された第1透明導電層129a及びデータパッド領域に形成された第2透明導電層129bと、基板間に形成された液晶層130とから構成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
画素領域、ゲートパッド領域、及びデータパッド領域を含む第1基板及び第2基板を準備する段階と、 前記第1基板の画素領域にゲート電極を形成し、前記第1基板のゲートパッド領域にゲートパッドを形成する段階と、 前記第1基板の全体にわたって窒化物系ゲート絶縁層及び酸化物半導体物質を積層する段階と、 前記画素領域の酸化物半導体物質をエッチングして前記ゲート電極の上部に酸化物半導体層を形成し、前記ゲートパッド領域の酸化物半導体物質及びゲート絶縁層をエッチングして前記ゲートパッドを露出させ、前記データパッド領域の酸化物半導体物質をエッチングする段階と、 前記画素領域の酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、前記ゲートパッド領域の露出したゲートパッド上及びゲート絶縁層上に金属層を形成し、前記データパッド領域にデータパッドを形成する段階と、 前記第1基板の全体にわたって保護層を形成し、前記保護層をエッチングして前記ドレイン電極、金属層、及びデータパッド上の保護層にコンタクトホールを形成する段階と、 透明導電物質を積層してエッチングすることにより、前記画素領域に前記ドレイン電極に接続する画素電極を形成し、前記ゲートパッド領域の金属層及び前記データパッド領域のデータパッドに透明導電層を形成する段階と、 前記第1基板と前記第2基板とを液晶層を介して貼り合わせる段階と を含むことを特徴とする薄膜トランジスタを備えた表示素子の製造方法。
IPC (6件)：
G02F 1/136 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/768
FI (7件)：
G02F1/1368 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/58 G ,  H01L21/90 A
Fターム (83件)：
2H092GA34 ,  2H092GA42 ,  2H092HA04 ,  2H092HA14 ,  2H092HA19 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092KA12 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA15 ,  2H092NA27 ,  4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB09 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104CC05 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104EE17 ,  4M104FF21 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033GG03 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH20 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033VV15 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ08
引用特許：
審査官引用 (9件)
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