半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康 , 山ノ井傑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-292206
公開番号（公開出願番号）：特開2010-118599
出願日： 2008年11月14日
公開日（公表日）： 2010年05月27日
要約：

【課題】複数回の露光処理によりゲート加工を行う半導体装置の製造方法に関し、工程数の増加等の問題を抑制する。【解決手段】端部同士が隙間を挟んで対向する少なくとも一対のゲート電極を形成する半導体装置の製造方法であって、当該方法では、基板(111)上に、ゲート絶縁膜(112)とゲート電極層(113X)とを形成し、前記ゲート電極層上に形成された第1のレジスト(202)又は第1の反射防止膜(201)をマスクとして、前記ゲート電極層を加工することにより、前記ゲート電極層を、前記隙間が形成される領域から除去して、前記ゲート電極層に穴(121)を形成し、前記穴が形成された前記ゲート電極層上に形成された第2のレジスト(302)又は第2の反射防止膜(301)をマスクとして、前記ゲート電極層を加工することにより、前記ゲート電極層から、前記端部同士が前記隙間を挟んで対向する前記少なくとも一対のゲート電極(113)を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

端部同士が隙間を挟んで対向する少なくとも一対のゲート電極を形成する、半導体装置の製造方法であって、基板上に、ゲート絶縁膜とゲート電極層とを順に形成し、前記ゲート電極層上に、第1の反射防止膜と第1のレジストとを順に形成し、前記第1のレジストを露光及び現像し、前記第1のレジスト又は前記第1の反射防止膜をマスクとして、前記ゲート電極層を加工することにより、前記ゲート電極層を、前記隙間が形成される領域から除去して、前記ゲート電極層に穴を形成し、前記穴が形成された前記ゲート電極層上に、第2の反射防止膜と第2のレジストとを順に形成し、前記第2のレジストを露光及び現像し、前記第2のレジスト又は前記第2の反射防止膜をマスクとして、前記ゲート電極層を加工することにより、前記ゲート電極層から、前記端部同士が前記隙間を挟んで対向する前記少なくとも一対のゲート電極を形成する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (11件)：

H01L 21/28 , H01L 29/786 , H01L 29/78 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/321 , H01L 21/336 , H01L 27/10 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 21/027

FI (9件)：

H01L21/28 E , H01L29/78 617J , H01L29/78 301G , H01L29/58 G , H01L21/88 D , H01L29/78 627C , H01L27/10 371 , H01L27/08 102C , H01L21/30 514A

Fターム (56件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104DD65 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 5F033GG03 , 5F033HH04 , 5F033QQ04 , 5F033QQ08 , 5F033QQ13 , 5F033VV06 , 5F033WW02 , 5F033XX03 , 5F033XX34 , 5F046AA13 , 5F046PA07 , 5F046PA11 , 5F048AA07 , 5F048AA09 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BF15 , 5F048BF19 , 5F083BS19 , 5F083GA27 , 5F083LA00 , 5F083PR01 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110NN65 , 5F110QQ01 , 5F110QQ02 , 5F140AA39 , 5F140AA40 , 5F140AB01 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG38 , 5F140BG39 , 5F140CB10

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第5858580号
米国特許第6042998号

審査官引用 (6件)

半導体記憶装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-143540 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-074959 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-360727 出願人：株式会社東芝

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