STI用の二酸化シリコンの高品質誘電体膜の形成:HARPII-遠隔プラズマ増強型堆積プロセス-のための異なるシロキサンベースの前駆物質の使用

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 池田成人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-533455
公開番号（公開出願番号）：特表2010-507259
出願日： 2007年10月11日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：

【課題】基板上に形成されるギャップ内に誘電体層を堆積させる方法を提供する。【解決手段】方法は、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップを含む。有機シリコン前駆物質のC:Si原子比は、8未満であり、酸素前駆物質は、堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む。前駆物質が反応して、ギャップ内に誘電体層を形成する。ギャップを誘電材料で充填する方法も記載する。これらの方法は、C:Si原子比が8未満の有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を供給するステップと、前駆物質からプラズマを生成させて、ギャップ内に誘電材料の第一部分を堆積させるステップとを含んでいる。誘電材料がエッチングされてもよく、誘電材料の第二部分がギャップ内に形成されてもよい。誘電材料の第一部分と第二部分がアニールされてもよい。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に形成されるギャップに誘電体層を堆積させる方法であって、方法が: 有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップであって、該有機シリコン前駆物質のC:Si原子比が8未満であり、該酸素前駆物質が該堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む、前記ステップと; 該前駆物質を反応させて、該ギャップ内に該誘電体層を形成するステップと; を含む、前記方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , H01L 21/312 , H01L 21/314 , H01L 21/76

FI (5件)：

H01L21/316 X , H01L21/312 C , H01L21/314 A , H01L21/316 P , H01L21/76 L

Fターム (34件)：

5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA50 , 5F032AA70 , 5F032AA77 , 5F032DA02 , 5F032DA22 , 5F032DA33 , 5F032DA78 , 5F058AA02 , 5F058AA03 , 5F058AA06 , 5F058AA08 , 5F058AC03 , 5F058AF01 , 5F058AG01 , 5F058AG07 , 5F058AH06 , 5F058BA02 , 5F058BA04 , 5F058BA06 , 5F058BA09 , 5F058BA10 , 5F058BC02 , 5F058BF02 , 5F058BF25 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BH01 , 5F058BJ06

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-068830 出願人：株式会社東芝
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-015746 出願人：株式会社東芝
特開平1-235259

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審査官引用 (7件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-068830 出願人：株式会社東芝
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-015746 出願人：株式会社東芝
特開平1-235259

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