薄膜トランジスタおよび画像表示装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-001816
公開番号（公開出願番号）：特開2010-263182
出願日： 2010年01月07日
公開日（公表日）： 2010年11月18日
要約：

【課題】本発明は、ゲート電極とソース電極間の絶縁性を向上させ、ゲート電極とソース電極間のリーク電流を低減させることにより、確実に動作する薄膜トランジスタおよび画像表示装置を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層および前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体層の直上に離間して形成された第1の開口部および第2の開口部を有する保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第1の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたソース電極と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第2の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたドレイン電極を備える薄膜トランジスタにすることにより、ゲート電極とソース電極との間の絶縁膜の膜厚が実質的に増すこととなり、絶縁性を向上させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層および前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体層の直上に離間して形成された第1の開口部および第2の開口部を有する保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第1の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたソース電極と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第2の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたドレイン電極と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/417 , H01L 21/28 , G02F 1/136 , G09F 9/30 , H01L 51/50

FI (11件)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 616J , H01L29/78 616S , H01L29/78 618B , H01L29/78 627C , H01L29/78 612D , H01L29/50 M , H01L21/28 L , G02F1/1368 , G09F9/30 338 , H05B33/14 A

Fターム (146件)：

2H092JA26 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JA48 , 2H092JB57 , 2H092JB66 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA08 , 2H092KA09 , 2H092KA22 , 2H092KB24 , 2H092NA21 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC31 , 3K107CC33 , 3K107EE03 , 3K107GG00 , 3K107HH05 , 4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104DD06 , 4M104DD08 , 4M104DD22 , 4M104DD34 , 4M104DD36 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD64 , 4M104EE06 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104FF02 , 4M104GG09 , 4M104HH15 , 5C094AA02 , 5C094AA25 , 5C094AA53 , 5C094AA55 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094BA75 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DB10 , 5C094EA04 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094FB19 , 5C094GB10 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD18 , 5F110DD24 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL14 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HL26 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN72

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜トランジスタの製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-236828 出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-126320 出願人：凸版印刷株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-315900 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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