特許

J-GLOBAL ID：201003077993794111

薄膜電界効果型トランジスタ

発明者： 板井 雄一郎
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-190906
公開番号（公開出願番号）：特開2010-028021
出願日： 2008年07月24日
公開日（公表日）： 2010年02月04日
要約：

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ON/OFF比を有し、かつノーマリーオフ型に改良されたTFTを提供することにある。【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物を含む活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間にあって、且つ、前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方と接する領域にのみ障壁層を有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物を含む活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間にあって、且つ、前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方と接する領域にのみ障壁層を有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U

Fターム (44件)：

5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG51 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-262619   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258271   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (3件)

• アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258270   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-217272   出願人：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-042575   出願人：三星電子株式会社