特許
J-GLOBAL ID:201003078043530084

プラズマ源およびプラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-064734
公開番号(公開出願番号):特開2010-170974
出願日: 2009年03月17日
公開日(公表日): 2010年08月05日
要約:
【課題】プラズマ分布の調整を容易に行うことができるプラズマ源およびプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】プラズマ源2は、マイクロ波を生成するマイクロ波生成機構30と、生成されたマイクロ波をチャンバ1内に導入する複数のアンテナモジュール41と、チャンバ1に隣接して設けられ、複数のアンテナモジュール41から放射されたマイクロ波を合成するマイクロ波合成部70とを具備し、マイクロ波合成部70は、複数のアンテナモジュール41から放射されたマイクロ波を空間合成する合成空間74と、合成空間74とチャンバ1との間に設けられた誘電体部材72とを有し、合成空間74で合成されたマイクロ波が誘電体部材72を介してチャンバ1内に導入される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
プラズマ処理を行う処理容器内に電磁波を導入して、前記処理容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ源であって、 電磁波を生成する電磁波生成機構と、 生成された電磁波を前記処理容器内に導入する複数のアンテナモジュールと、 前記処理容器に隣接して設けられ、前記複数のアンテナモジュールから放射された電磁波を合成する電磁波合成部と を具備し、 前記電磁波合成部は、前記複数のアンテナモジュールから放射された電磁波を空間合成する合成空間と、前記合成空間と前記チャンバとの間に設けられた誘電体部材とを有し、 前記合成空間で合成された電磁波が前記誘電体部材を介して前記処理容器内に導入されることを特徴とするプラズマ源。
IPC (3件):
H05H 1/46 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205
FI (4件):
H05H1/46 B ,  H05H1/46 R ,  H01L21/302 101D ,  H01L21/205
Fターム (9件):
5F004BB14 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F004CA07 ,  5F045AA09 ,  5F045DP03 ,  5F045EH01 ,  5F045EH02
引用特許:
審査官引用 (6件)
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