窒化物半導体発光ダイオード素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 荒川伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-160304
公開番号（公開出願番号）：特開2010-003804
出願日： 2008年06月19日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：

【課題】高い電流密度の電流を注入して連続駆動させた場合でも高い信頼性を有する窒化物半導体発光ダイオード素子およびその窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法を提供する。【解決手段】n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に設置された窒化物半導体活性層とを含み、窒化物半導体活性層に対してp型窒化物半導体層側に、酸化インジウム錫を含有する第1の透明電極層と、酸化錫を含有する第2の透明電極層とを有する窒化物半導体発光ダイオード素子とその窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型窒化物半導体層と、 p型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層と前記p型窒化物半導体層との間に設置された窒化物半導体活性層とを含み、前記窒化物半導体活性層に対して前記p型窒化物半導体層側に、酸化インジウム錫を含有する第1の透明電極層と、酸化錫を含有する第2の透明電極層とを有する、窒化物半導体発光ダイオード素子。

IPC (3件)：

H01L 33/32 , H01L 33/36 , H01L 21/28

FI (4件)：

H01L33/00 C , H01L33/00 E , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R

Fターム (24件)：

4M104AA04 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD79 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104HH20 , 5F041AA03 , 5F041AA22 , 5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F041CA84 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA98 , 5F041CA99 , 5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3786898号公報

審査官引用 (9件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-342304 出願人：株式会社フジクラ
半導体発光素子、半導体発光装置および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-252084 出願人：松下電器産業株式会社
発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-223981 出願人：株式会社フジクラ

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