特許

J-GLOBAL ID：201003080317094965

ショットキーバリアダイオード

発明者： 堀井 拓 ,  宮崎 富仁 ,  木山 誠
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (3件)： 中野 稔 ,  山口 幹雄 ,  二島 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-216085
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056100
出願日： 2008年08月26日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：

【課題】 フィールドプレート構造により逆方向耐電圧の向上したショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】 主表面を有する窒化ガリウム系化合物のエピタキシャル層と、 前記主表面上に形成され、開口部が形成されている窒化絶縁層と、前記開口部の内部に、前記主表面に接触するように形成されたショットキー電極と、前記ショットキー電極に電気的に接続するとともに、前記窒化絶縁層に重なるように形成された、フィールドプレート電極と、を備え、前記窒化絶縁層と前記エピタキシャル層との界面での固定電荷密度が、1.2×1012cm-2未満である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

主表面を有する窒化ガリウム系化合物のエピタキシャル層と、 前記主表面上に形成され、開口部が形成されている窒化絶縁層と、 前記開口部の内部に、前記主表面に接触するように形成されたショットキー電極と、 前記ショットキー電極に電気的に接続するとともに、前記窒化絶縁層に重なるように形成された、フィールドプレート電極と、を備え、 前記窒化絶縁層と前記エピタキシャル層との界面での固定電荷密度が、1.2×1012cm-2未満であることを特徴とするショットキーバリアダイオード。

IPC (4件)：

H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283

FI (3件)：

H01L29/48 F ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/283 C

Fターム (18件)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104DD09 ,  4M104DD12 ,  4M104DD17 ,  4M104DD22 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104EE02 ,  4M104EE12 ,  4M104EE17 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104HH18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• エピタキシャル基板および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-238961   出願人：住友電気工業株式会社

審査官引用 (4件)

• ショットキバリアダイオード、およびショットキバリアダイオードを作製する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-332295   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-263853   出願人：ローム株式会社
• 窒化珪素薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-073941   出願人：川崎製鉄株式会社
• プラズマCVD窒化珪素膜の成膜方法及び半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-090714   出願人：東京エレクトロン株式会社