特許

J-GLOBAL ID：201003080627087730

化学機械研磨用水系分散体、化学機械研磨方法および化学機械研磨用水系分散体の製造方法

発明者： 柴田 陽介 ,  仕田 裕貴 ,  竹村 彰浩 ,  安藤 民智明
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (3件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  都築 美奈
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-029640
公開番号（公開出願番号）：特開2010-041029
出願日： 2009年02月12日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

【課題】低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減すると共に、銅膜、バリアメタル膜およびTEOS膜等の層間絶縁膜(キャップ層)に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立させ、かつ、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、(A)シリカ粒子と、(B)2個以上のカルボキシル基を有する有機酸と、を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、前記(A)シリカ粒子は、下記の化学的性質を有することを特徴とする。 29Si-NMRスペクトルのシグナル面積から算出されるシラノール基数が、2.0〜3.0×1021個/gである。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)シリカ粒子と、 (B)2個以上のカルボキシル基を有する有機酸と、 を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、 前記(A)シリカ粒子は、下記の化学的性質を有する、化学機械研磨用水系分散体。 29Si-NMRスペクトルのシグナル面積から算出されるシラノール基数が、2.0〜3.0×1021個/gである。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (5件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550Z ,  C09K3/14 550D

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (10件)

• 基体の研磨又は平坦化方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-545482   出願人：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション
• 特公平5-000338
  
• 研磨用スラリーおよび研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-047571   出願人：株式会社東京精密, ニッタ・ハース株式会社
• 研磨液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-064748   出願人：花王株式会社
• 研磨用シリカ粒子分散液、その製造方法および研磨材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-304958   出願人：触媒化成工業株式会社
• 半導体ウェーハーの研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-012869   出願人：日産化学工業株式会社
• 金属研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-050123   出願人：富士フイルム株式会社
• Cu膜CMP用スラリー、研磨方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-170224   出願人：株式会社東芝
• 化学機械研磨用水系分散体、該水系分散体を調製するためのキット、化学機械研磨方法、および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-185705   出願人：JSR株式会社, 株式会社東芝
• 特許第2714411号