特許
J-GLOBAL ID：201003080780376490
相関電子メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
小野 新次郎
, 社本 一夫
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 大塚 住江
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-536505
公開番号（公開出願番号）：特表2010-522424
出願日： 2007年11月08日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：
不揮発性の抵抗切換メモリは、電子間の相関、特に、モット遷移により、絶縁状態と導電状態との間で変化する材料を含む。この材料は、導電状態へと結晶化されるものであり、電鋳を必要としない。
請求項（抜粋）：
抵抗切換集積回路メモリであって、
相関電子材料(CEM)を含む抵抗切換メモリ・セルと、
前記メモリへ入力される情報に応じて、前記抵抗切換メモリ・セルを第1抵抗状態または第2抵抗状態に置く書き込み回路であって、前記CEMの抵抗は、前記第2抵抗状態のときの方が前記第1抵抗状態のときよりも高い、書き込み回路と、
前記メモリ・セルの状態を検知し、前記メモリ・セルの検知した状態に対応する電気信号を供給する読み出し回路と
を備える抵抗切換集積回路。
IPC (5件)：
H01L 27/10
, H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
, G11C 13/00
H01L27/10 451
, H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
, G11C13/00 A
5F083FZ10
, 5F083JA60
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083PR23
, 5F083PR33
