特許
J-GLOBAL ID:201003088799782090
導電性パタンの形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-208748
公開番号(公開出願番号):特開2010-045227
出願日: 2008年08月13日
公開日(公表日): 2010年02月25日
要約:
【課題】本発明の課題は、生産性に優れ、かつ十分な導電性を有する微細な導電性パタンの形成が可能な導電性パタンの形成方法を提供することである。【解決手段】絶縁性支持体の少なくとも一方の面に、写真製法により得られた銀薄膜層及び感光性レジスト層を少なくともこの順に有する導電性パタン前駆体を、パタン露光後に現像して銀薄膜層上に任意のパタンを有するレジスト画像を形成した後、電解めっき法により該レジスト画像で被覆されていない銀薄膜層上に金属を積層させ、その後レジスト画像を溶解除去し、更に金属が積層されていない部分の銀薄膜層を除去する導電性パタンの形成方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
絶縁性支持体の少なくとも一方の面に、写真製法により得られた銀薄膜層及び感光性レジスト層を少なくともこの順に有する導電性パタン前駆体を、パタン露光後に現像して銀薄膜層上に任意のパタンを有するレジスト画像を形成した後、電解めっき法により該レジスト画像で被覆されていない銀薄膜層上に金属を積層させ、その後レジスト画像を溶解除去し、更に金属が積層されていない部分の銀薄膜層を除去する導電性パタンの形成方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (10件):
5E343AA02
, 5E343AA11
, 5E343BB24
, 5E343BB25
, 5E343BB44
, 5E343CC61
, 5E343DD43
, 5E343GG08
, 5E343GG11
, 5E343GG20
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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