特許
J-GLOBAL ID：201003089817605165

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
平野 孝

平野 孝 について


出願人/特許権者：
住友ベークライト株式会社

住友ベークライト株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-167547
公開番号（公開出願番号）：特開2010-010368
出願日： 2008年06月26日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：
【課題】 本発明の目的は、貫通電極を有する半導体素子と、他の半導体素子とを好適に接合することが可能な半導体装置を提供するものである。【解決手段】 本発明の半導体装置は、基板と、前記基板の少なくとも一方の面側に設けられた第1半導体素子と、厚さ方向に貫通する導体部を有する第2半導体素子と、を有する半導体装置であって、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子とが、突起電極を介して電気的に接続されており、前記第1半導体素子と、前記第2半導体素子との間には、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第1接着層が配置されてなることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の少なくとも一方の面側に設けられた第1半導体素子と、厚さ方向に貫通する導体部を有する第2半導体素子と、を有する半導体装置であって、 前記第1半導体素子と前記第2半導体素子とが、突起電極を介して電気的に接続されており、 前記第1半導体素子と、前記第2半導体素子との間には、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第1接着層が配置されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1件)：
H01L25/08 Z
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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