特許
J-GLOBAL ID：200903019084654793
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-123306
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308140
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】高密度型半導体装置を高い信頼性をもってインターポーザ等に実装可能にすること、実装構造簡素化、実装の容易化、実装工数の削減、歩留まりの向上を図り、半導体装置を安価に提供すること、実装後の交換の容易化等。【解決手段】半導体装置3は、半導体チップ11と、チップ電極12上にスタッドバンプ法で付設されたAuボールバンプ21と、半導体チップのチップ電極12が形成された面上に敷設された熱可塑性の接着剤層22とを備え、Auボールバンプ21が接着剤層22の表面上にその先端部を突出して構成される。半導体チップ上に電気的接合をするためのバンプと接着機能を有する接着樹脂を形成することで信頼性の高い接合を実現する。その他、半導体ウエハに銅箔を貼り合わせ配線パターンを形成する方法、接着剤層を介して貼り合わせたバンプで電気的に接続したマルチチップモジュールなど。
請求項（抜粋）：
半導体チップと、前記半導体チップの電極上に付設されたスタッドバンプと、前記半導体チップの前記電極の形成面上に敷設された接着剤層とを備え、前記スタッドバンプが前記接着剤層の表面上に突出してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/12
H01L 21/60 311 Q
, H01L 23/12 L
5F044KK03
, 5F044KK18
, 5F044LL11
, 5F044LL15
, 5F044QQ03
, 5F044QQ04
, 5F044RR01
, 5F044RR02
, 5F044RR03
, 5F044RR10
, 5F044RR18
