特許
J-GLOBAL ID：201003090313551909
パルスRFバイアス処理においてウエハ電位を測定および制御する方法、ならびにそのための装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-529201
公開番号（公開出願番号）：特表2010-504614
出願日： 2007年09月14日
公開日（公表日）： 2010年02月12日
要約：
【解決手段】半導体ウエハ(46)を処理するためのプラズマチャンバ(40)内において印加される電位(68)を検出および制御する装置ならびに方法が提供される。プラズマチャンバは、プラズマチャンバ内においてチャック(66)に印加されるパルスRFバイアス電圧信号(68)を監視および調整するための回路構成(82)を含み、チャックは、処理のためにウエハを載置するように構成される。さらには、チャックに印加されるパルスRFバイアス電圧信号の電圧をフィードバック信号とRFバイアス電圧信号の所望の電圧値との間の差にしたがって調整するためのフィードバック回路が含まれる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを処理するためのプラズマチャンバ内において、前記プラズマチャンバ内におけるチャックに印加されるパルスRFバイアス電圧信号を監視および調整するための回路構成であって、前記チャックは、処理のために前記ウエハを載置するように構成され、前記回路構成は、
前記チャックに印加される前記パルスRFバイアス電圧信号の個別パルスを検出するためのRFバイアス電圧検出器と、
各前記検出個別パルスをサンプリングするための時刻を決定するためのタイミング回路と、
各検出個別パルスの特徴的ピークツーピーク電圧値を表す電圧値を決定およびホールドするために、各前記検出個別パルスをサンプリングするための前記サンプリング時刻においてトリガされるサンプル-ホールド回路であって、少なくとも1つの前記検出パルスの特徴的ピークツーピーク電圧値を表すフィードバック信号を提供するように構成されるサンプル-ホールド回路と、
前記チャックに印加される前記パルスRFバイアス電圧信号の電圧を、前記フィードバック信号と前記RFバイアス電圧信号の所望の電圧値との間の差にしたがって調整するためのフィードバック回路と、
を備える回路構成。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, H01L 21/306
, C23C 16/507
, C23C 16/52
H05H1/46 R
, H01L21/302 101C
, C23C16/507
, C23C16/52
, H05H1/46 L
4K030FA04
, 4K030JA11
, 4K030JA17
, 4K030KA20
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004CB05
出願人引用 (9件)
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プラズマ処理装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-241313
出願人：東京エレクトロン株式会社
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プラズマ処理装置及び処理方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-276668
出願人：株式会社日立製作所
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特開昭62-085431
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審査官引用 (10件)
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プラズマ処理装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-241313
出願人：東京エレクトロン株式会社
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プラズマ処理装置及び処理方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-276668
出願人：株式会社日立製作所
-
特開昭62-085431
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