特許
J-GLOBAL ID：201003091373259804
磁壁移動型ストレージデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山田 正紀
, 三上 結
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-172686
公開番号（公開出願番号）：特開2010-016060
出願日： 2008年07月01日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：
【課題】 本件は、強磁性材料からなり、磁壁の有無による情報を記憶するとともに移動電流の供給を受けて磁壁を移動させるメモリ線を備えた磁壁移動型ストレージデバイスに関し、低コストの読出方式を採用する。【解決手段】 メモリ線上の情報読出点でメモリ線と交差する読出線を形成し、メモリ線に形成されている磁壁が情報読出点を通過する際に生じる誘導起電力をピックアップすることにより、メモリ線の、磁壁の有無による情報を読み出す。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
強磁性材料からなり、近接した同極の極磁どうしの間に形成される磁壁の形成を受けて該磁壁の有無による情報を記憶し、移動電流の供給を受けて磁壁を移動させるメモリ線と、
前記メモリ線上の情報書込点で該メモリ線と交差し書込情報に応じた向きの書込電流の供給を受けて、該メモリ線の該情報書込点を該書込電流に応じた向きに磁化する書込線と、
前記メモリ線上の情報読出点で該メモリ線と交差し該メモリ線に形成されている磁壁が該情報読出点を通過する際に生じる誘導起電力をピックアップすることにより、該メモリ線の、磁壁の有無による情報を読み出すための読出線とを有することを特徴とする磁壁移動型ストレージデバイス。
IPC (4件)：
H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 29/82
, G11C 11/15
H01L27/10 447
, H01L29/82 Z
, G11C11/15 150
4M119BB20
, 4M119CC10
, 4M119EE02
, 4M119EE29
, 4M119HH04
, 5F092AB06
, 5F092AC30
, 5F092AD26
, 5F092BD03
, 5F092BD04
, 5F092BD19
