文献

J-GLOBAL ID：201102245205199112   整理番号：11A1135252

圧電超音波マイクロセンサの感度増強のための二酸化シリコンダイヤフラムの座屈制御

Buckling Control of Silicon Dioxide Diaphragms for Sensitivity Enhancement of Piezoelectric Ultrasonic Microsensors

著者 (4件)： YAMASHITA Kaoru (Kyoto Inst. of Technol.) ,  YOSHIZAKI Tomoya (Osaka Univ.) ,  NODA Minoru (Kyoto Inst. of Technol.) ,  OKUYAMA Masanori (Osaka Univ.)
資料名： 電気学会論文誌 E  (IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines)
巻： 131  号： 7  ページ： 235-239 (J-STAGE)  発行年： 2011年 
JST資料番号： L3098A  ISSN： 1341-8939  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 圧電超音波マイクロセンサを,感度増強のために,座屈制御された二酸化シリコンダイヤフラム上に作製した。自然の座屈を可能にし,再座屈を上方向に作るために,表面酸化された通常のシリコンウエハから得られる壊れやすいSiO₂ダイヤフラムに対して,正確な応力制御プロセスを開発した。上方向および下方向に座屈したSiO₂ダイヤフラム上に作製されたセンサを,静的たわみと感度に関して評価した。上方向に座屈したダイヤフラムは約+4.8μmのたわみを示し,一方,下方向のものは約-3.5μmのたわみを示した。下方向のダイヤフラムセンサに対する上方向の比較において,40のセンサの平均で4倍高い感度が全体として得られた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 座屈 ,  *二酸化ケイ素 ,  *ダイヤフラム ,  *超音波変換器 ,  *感度 ,  *圧電素子 ,  *センサ ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  残留応力 ,  方向制御 ,  ウエハ【IC】 ,  SOI構造 ,  引張応力
準シソーラス用語： マイクロセンサ

分類 (2件)： 力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

引用文献 (8件)：

• KHURI-YAKUB, B. T. Silicon Micromachined Ultrasonic Transducers. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, 2883-2887
• MURALT, P. Study of PZT Coated Membrane Structures for Micromachined Ultrasonic Transducers. 2001 IEEE Ultrason. Symp. Proc., New York, USA, 10. 2001, 907-911
• WANG, Z. H. Micromachined Piezoelectric Microphone with High Signal to Noise Ratio. Tech. Dig. Transducers 2009, Denver, USA, 6. 2009, 1553-1556
• YAMASHITA, K. Arrayed ultrasonic microsensors with high directivity for in-air use using PZT thin film on silicon diaphragms. Sens. Actuat. A. 2002, 97-98, 302-307
• YAMASHITA, K. Sensitivity Change in Piezoelectric Ultrasonic Microsensors Caused by Variation of Diaphragm Structures. J. Korean Phys. Soc. 2009, 55, 902-907

タイトルに関連する用語 (7件)： 圧電 ,  超音波 ,  マイクロセンサ ,  感度増 ,  二酸化シリコン ,  ダイヤフラム ,  座屈