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J-GLOBAL ID：201102248783818355   整理番号：11A1249959

ポリ(スチレン-アクリレート)系化学増幅レジストの脱プロトン機構

Deprotonation mechanism of poly(styrene-acrylate)-based chemically amplified resist

著者 (9件)： TAJIMA Y. (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  OKAMOTO K. (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  OKAMOTO K. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  KOZAWA T. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  KOZAWA T. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAGAWA S. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  TAGAWA S. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  FUJIYOSHI R. (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  SUMIYOSHI T. (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7972  号： Pt.2  ページ： 79721N.1-79721N.7  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(スチレン-メタクリル酸メチル)(PS-MMA)の共重合度がEUV化学増幅レジストの脱プロトン機構に及ぼす影響を,パルス放射線分解,酸発生量,密度汎関数法により調べた。低PSモル比(<50%)では,PS-MMA中のスチレン単位への正孔移動の直前にMMA単位の分解が生じた。MMA単位からスチレン単位への正孔移動は高PSモル比(>70%)で起きた。スチレン多量体(n>3)の形成が正孔移動の原因であると考えられる。

シソーラス用語： ポリスチレン ,  共重合 ,  共重合体 ,  重合度 ,  *化学増幅レジスト ,  *フォトリソグラフィー ,  モル比 ,  *脱プロトン ,  多量体 ,  パルス放射線分解 ,  発生 ,  半導体プロセス ,  脂肪族カルボン酸 ,  オレフィン化合物 ,  不飽和カルボン酸 ,  カルボン酸エステル ,  EUVレジスト
準シソーラス用語： 酸発生

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： メタクリル酸メチル

タイトルに関連する用語 (4件)： スチレン ,  系 ,  化学増幅レジスト ,  脱プロトン