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J-GLOBAL ID：201102253332626022   整理番号：11A0293571

宇宙・民生デュアルユースのLSI 宇宙・民生デュアルユースの半導体集積回路の開発-SOIデバイスの放射線耐性強化技術-

著者 (6件)： 廣瀬和之 (宇宙科学研) ,  齋藤宏文 (宇宙科学研) ,  小林大輔 (宇宙科学研) ,  黒田能克 (三菱重工 名古屋誘導推進システム製作所) ,  石井茂 (三菱重工 名古屋誘導推進システム製作所) ,  高橋大輔 (三菱重工 名古屋誘導推進システム製作所)
資料名： 日本航空宇宙学会誌
巻： 59  号： 684  ページ： 8-14  発行年： 2011年01月05日 
JST資料番号： F0230A  ISSN： 0021-4663  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,放射線が半導体集積回路に与える影響に関する研究の現状と,我々が中心となって研究開発してきた宇宙用SOIデバイスの放射線耐性強化技術を紹介する。まず放射線が半導体集積回路に与える影響では,バンアレイン帯,銀河宇宙線,太陽フレアーによる放射線環境が著しく厳しく,地上とは比べものにならないほど半導体集積回路にとって過酷な環境である宇宙分野における研究について紹介し,次に今後さらに電子回路の高集積化・高機能化とともに,ソフトエラーに代表される放射線障害を克服する重要性が高まることが予想される民生分野での研究について紹介する。放射線耐性強化技術については,開発方針,SRAMの放射線耐性強化法,記憶セルの放射線耐性強化法について述べた。まとめとして,民生SOIプロセスを利用した宇宙用セルベ-スASICのために整備した放射線強化セルライブラリーについて紹介する。

シソーラス用語： *宇宙空間 ,  LSI【IC】 ,  *半導体集積回路 ,  *SOI構造 ,  電子回路 ,  ソフトエラー ,  SRAM ,  記憶素子 ,  *耐放射線性 ,  ASIC ,  SEU【シングルイベント】 ,  回路シミュレーション
準シソーラス用語： 民生部門

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (27件)：

• 1 Clark, L. T.: Microprocessors and SRAMs for Space: Basics, Radiation Effects and Design, IEEE NSREC Short Course, Section III, 2010.
• 2 廣瀬和之,三ツ石進,小林大輔:宇宙用半導体部品とその耐放射線化技術,電気学会誌, 129(2009), pp. 739-742.
• 3 Holmes-Siedle, A. and Adams, L.: Handbook of Radiation Effects, Second ed., Oxford University Press, Oxford, 2002.
• 4 Kobayashi, D., Aimi, M., Saito, H. and Hirose, K. :Ti me-Domain Component Analysis of Heavy-Ion Induced Transient Currents in Fully-Depleted SOI MOSFETs, IEEE Trans. Nucl. Sci., 53 (2006), pp. 3372-3378.
• 5 Yanagawa, Y., Hirose, K., Saito, H., Kobayashi, D., Fukuda, S., Ishii, S., Takahashi, D., Yamamoto, K. and Kuroda, Y.: Direct Measurement of SET Pulse Widths in 0.2-μm SOI Logic Cells Irradiated by Heavy Ions, IEEE Trans. Nucl. Sci., 53 (2006), pp. 3575-3578.

タイトルに関連する用語 (8件)： 宇宙 ,  デュアルユース ,  LSI ,  半導体集積回路 ,  開発 ,  SOI ,  放射線耐性 ,  強化