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J-GLOBAL ID：201102257870950684   整理番号：11A0866256

ゾル-ゲル法で作製した高k SrTa₂O₆薄膜の電気的性質の厚み依存性

Thickness Dependence of Electrical Properties for High-k SrTa₂O₆ Thin Films Fabricated by Sol-Gel Method

著者 (6件)： LU Li (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  NISHIDA Takashi (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  ECHIZEN Masahiro (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  UCHIYAMA Kiyoshi (Tsuruoka National Coll. Technol., Yamagata, JPN) ,  URAOKA Yukiharu (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  URAOKA Yukiharu (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 3,Issue 2  ページ： 03CA05.1-03CA05.5  発行年： 2011年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SrTa₂O₆薄膜とPt電極の界面及びSrTa₂O₆薄膜中の欠陥を厚み依存性の研究を通して調べた。厚み150nmのSrTa₂O₆薄膜に対して約109に高い誘電率と約10^-8A/cm²の低い漏れ電流密度を得た。これらの値は有機金属化学気相成長法で得られるSrTa₂O₆薄膜のものと同程度であった。113nmと150nmのSrTa₂O₆薄膜では空間電荷制限電流機構が優勢であった。113nmと150nmのSrTa₂O₆薄膜の底部界面近くに高濃度のTiを発見した。これらの結果から,これらの二種類の薄膜の二層モデルを示唆した。Poole-Frenkel優勢漏れ電流と損失正接の異常な分散を75nmのSrTa₂O₆薄膜に認めた。これは底部界面近傍だけでなく膜全体における高密度のTiにより誘起したと考えられた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ゾル-ゲル法 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *タンタル酸塩 ,  *誘電体薄膜 ,  依存性 ,  格子欠陥 ,  白金電極 ,  誘電率 ,  *漏れ電流 ,  濃度依存性 ,  Poole-Frenkel効果 ,  損失正接
準シソーラス用語： *タンタル酸ストロンチウム ,  厚み依存性

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (23件)：

• 1) S. P. Tiwari, X.-H Zhang, W. J. Potscavage, Jr , and B. Kippelen: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 223303.
• 2) M. Kitamura and Y. Arakawa: Appl. Phys. Lett 89 (2006) 223525.
• 3) S. Y. Lee, S. Chang, and J.-S. Lee: Thin Solid Films 518 (2010) 3030.
• 4) S. Regnery, R. Thomas, P. Ehrhart, and R. Waser: J. Appl. Phys. 97 (2005) 073521.
• 5) V. Ya. Kum, Yu. K. Tarnopol'skii, and N. A. Shturbina: Sov. Phys. J. 32 (1989) 556.

タイトルに関連する用語 (5件)： ゾル-ゲル法 ,  作製 ,  薄膜 ,  電気的性質 ,  厚み依存性