特許
J-GLOBAL ID：201103002329595150

ソリッドステート材料

発明者：
スカーズブルック ジェフリー アラン

スカーズブルック ジェフリー アラン について

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トゥウィッチェン ダニエル ジェイムズ

トゥウィッチェン ダニエル ジェイムズ について

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マーカム マシュー リー

マーカム マシュー リー について


出願人/特許権者：
エレメント シックス リミテッド

エレメント シックス リミテッド について


代理人 (6件)： 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  小川 信夫 ,  箱田 篤 ,  浅井 賢治 ,  山崎 一夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-519233
公開番号（公開出願番号）：特表2011-529265
出願日： 2009年07月22日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：
ホスト材料と量子スピン欠陥とを含むソリッドステートシステムであって、量子スピン欠陥が室温で約300μs以上のT2を有し、ホスト材料が、約20ppb以下の全窒素濃度を有する単結晶CVDダイヤモンドの層を含み、量子スピン欠陥が形成されている所に最も近い表面上の点に中心がある約5μmの半径の円によって定義される領域内の単結晶ダイヤモンドの表面粗さRqが約10nm以下であるソリッドステートシステム、ソリッドステートシステムの調製方法及び約20ppb以下の全窒素濃度を有する単結晶ダイヤモンドのスピントロニクス用途での使用を開示する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
ホスト材料と量子スピン欠陥とを含むソリッドステートシステムであって、前記量子スピン欠陥が室温で約300μs以上のT2を有し、前記ホスト材料が、約20ppb以下の全窒素濃度を有する単結晶CVDダイヤモンドの層を含み、前記量子スピン欠陥が形成されている所に最も近い表面上の点に中心がある約5μmの半径の円によって定義される領域内の前記単結晶ダイヤモンドの表面粗さRqが約10nm以下である、前記ソリッドステートシステム。
IPC (3件)：
H01L 29/82 ,  B82Y 10/00 ,  C30B 29/04
FI (3件)：
H01L29/82 Z ,  B82Y10/00 ,  C30B29/04 E
Fターム (24件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077AB08 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077FD02 ,  4G077FE11 ,  4G077FG01 ,  4G077FG11 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  5F092AA11 ,  5F092AA15 ,  5F092AB10 ,  5F092AC21 ,  5F092BD15 ,  5F092BE02 ,  5F092CA03 ,  5F092CA08 ,  5F092CA11 ,  5F092GA03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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