ダイヤモンド製医療装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：大菅義之 , ▲徳▼永民雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-551323
公開番号（公開出願番号）：特表2008-526682
出願日： 2006年01月11日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

マスクされ制御されたイオン注入を、アニーリングもしくはエッチングと併せて、CVDで形成した単結晶ダイヤモンドに使用し、光学用途にも、ナノ電子機械装置形成にも、医療装置形成にも使えるような構造を作成できる。イオン注入法は、ダイヤモンドの成長表面下に一種類もしくは複数種類の原子を入れ込む際に使われる手法であって、ダイヤモンドの成長表面下の所定の深さに、ピーク濃度の原子を有する被注入層を形成するために用いられる。この組成物を、適切な条件の非酸化環境下で加熱して、ダイヤモンド基層と被注入層とを分離する。剥がれた構造に対してさらにイオン注入を行って、望みのままに構造をまっすぐに伸ばしたり曲げたりすることもできる。また、硼素添加を用いて、導電性ダイヤモンド構造を作成することも可能である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド上にパターン化したマスクを形成するステップと、前記マスクを通して、前記ダイヤモンドを、選択されたエネルギー量でイオン注入に曝露するステップと、前記ダイヤモンドを処理して、前記注入されたイオンに近接する空孔を、前記マスク上のパターンに応じて形成するステップとを含むことを特徴とする、方法。

IPC (6件)：

C30B 29/04 , C30B 31/22 , A61L 31/00 , A61L 27/00 , A61L 29/00 , H01L 21/265

FI (8件)：

C30B29/04 V , C30B29/04 X , C30B31/22 , A61L31/00 B , A61L27/00 H , A61L29/00 B , H01L21/265 Q , H01L21/265 Z

Fターム (25件)：

4C081AB02 , 4C081AB05 , 4C081AC08 , 4C081AC09 , 4C081AC16 , 4C081CF16 , 4C081DA01 , 4C081DA03 , 4C081DB05 , 4C081DB07 , 4C081EA01 , 4C081EA12 , 4G077AA01 , 4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077FD04 , 4G077FE20 , 4G077FG18 , 4G077HA01 , 4G077HA04 , 4G077HA05 , 4G077HA13 , 4G077HA14 , 4G077HA20

引用特許：

審査官引用 (12件)

ダイヤモンドの析出方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-250399 出願人：株式会社豊田中央研究所
半導体ダイヤモンドの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-261505 出願人：シャープ株式会社
ダイヤモンドの選択形成法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-155840 出願人：出光マテリアル株式会社

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