特許
J-GLOBAL ID:201103002634879290
盛り上げられた縁部を有する円錐状黒鉛電極
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件):
久野 琢也
, 矢野 敏雄
, 高橋 佳大
, 星 公弘
, 二宮 浩康
, 篠 良一
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-057970
公開番号(公開出願番号):特開2011-195438
出願日: 2011年03月16日
公開日(公表日): 2011年10月06日
要約:
【課題】従来の構造様式の電極に比べて転倒確率が格段に低減された電極を提供すること【解決手段】円錐状先端部または角錐状先端部を有する、炭素から成る電極であって、当該電極は、フィラメントロッドを収容する手段を有しており、前記円錐状先端部または角錐状先端部の側面は、少なくとも1つの、盛り上げられた縁部によって取り囲まれている、ことを特徴とする電極【選択図】図1
請求項(抜粋):
円錐状先端部または角錐状先端部を有する、炭素から成る電極であって、
当該電極は、フィラメントロッドを収容する手段を有しており、
前記円錐状先端部または角錐状先端部の側面は、少なくとも1つの、盛り上げられた縁部によって取り囲まれている、
ことを特徴とする電極。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (8件):
4G072AA01
, 4G072BB12
, 4G072GG03
, 4G072GG05
, 4G072HH07
, 4G072JJ01
, 4G072NN14
, 4G072RR11
引用特許:
審査官引用 (8件)
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多結晶シリコン製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-201326
出願人:三菱マテリアル株式会社
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多結晶シリコン製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-135831
出願人:三菱マテリアル株式会社
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黒鉛電極
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-057972
出願人:ワッカーケミーアクチエンゲゼルシャフト
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