特許
J-GLOBAL ID：201103003076078508
半導体力学量センサとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304323
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286430
特許番号：特許第4238437号
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単層の半導体基板に形成した横方向に延びる空洞により区画され、当該空洞の下に位置するベースプレート部と、
前記空洞および半導体基板に形成した縦方向に延びる溝により区画され、空洞および溝の横に位置する枠部と、
前記空洞および溝により区画され、空洞の上に位置し、前記枠部から延び、かつ、力学量により変位する可動電極を有する梁構造体と、
前記空洞および溝により区画され、空洞の上に位置し、前記枠部から延び、かつ、前記梁構造体の可動電極に対向して配置された固定電極と、
前記可動電極と前記枠部との間および前記固定電極と前記枠部との間に形成され、電気的絶縁材料が埋め込まれた状態で前記空洞に達する溝と、
を備えたことを特徴とする半導体力学量センサ。
IPC (4件)：
H01L 29/84 ( 200 6.01)
, G01L 1/14 ( 200 6.01)
, G01P 15/125 ( 200 6.01)
, H01L 21/44 ( 200 6.01)
H01L 29/84 Z
, G01L 1/14 K
, G01P 15/125 Z
, H01L 21/44
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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