特許

J-GLOBAL ID：201103003136678500

窒化物半導体及び窒化物半導体素子

発明者： 岩見 正之
出願人/特許権者： 次世代パワーデバイス技術研究組合
代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-081733
公開番号（公開出願番号）：特開2011-216578
出願日： 2010年03月31日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：

【課題】リーク電流が抑制された窒化物半導体、及び該窒化物半導体を備えた半導体素子を提供する。【解決手段】Al原子,Ga原子及びIn原子から選択される1以上の金属原子と窒素原子とを少なくとも含むと共に、結晶面に対して垂直な転位線を持つらせん転位を有し、前記らせん転位の転位芯に相当する領域に位置された前記金属原子または窒素原子のうちの少なくとも一部が炭素原子で置換されている窒化物半導体である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Al原子,Ga原子及びIn原子から選択される1以上の金属原子と窒素原子とを少なくとも含むと共に、 結晶面に対して垂直な転位線を持つらせん転位を有し、 前記らせん転位の転位芯に相当する領域に位置された前記金属原子または窒素原子のうちの少なくとも一部が炭素原子で置換されている窒化物半導体。

IPC (7件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/20

FI (5件)：

H01L21/205 ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/80 H ,  H01L29/20

Fターム (54件)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045DA53 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21 ,  5F110AA06 ,  5F110CC01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE15 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F140AA24 ,  5F140AB08 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA10 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BC12 ,  5F140BC17 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体の成長方法、半導体発光素子の製造方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-063811   出願人：ソニー株式会社
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-000704   出願人：株式会社東芝
• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-357046   出願人：日亜化学工業株式会社
• エピタキシャル基板、エピタキシャル基板の製造方法および転位低減方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-419465   出願人：日本碍子株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

• Solid-Phase Diffusion of Carbon into GaN Using SiNx/CNx/GaN Structure
• 炭素拡散させたGaNの電気的特性 Electrical properties of carbon-diffused GaN
• GaN中に拡散した炭素が形成するエネルギー準位 Energy levels in carbon-diffused GaN