特許
J-GLOBAL ID：201103003221488230
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-152085
公開番号（公開出願番号）：特開2011-100967
出願日： 2010年07月02日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：
【課題】チャネル移動度の向上およびオフリーク電流の十分な低減を達成することができる、半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、半導体基板2と、SiCからなる半導体基板2の表層部にP型不純物をドープして形成されたP型のボディ領域(ウェル領域)3と、ボディ領域3の表面上に形成されたゲート絶縁膜6と、ゲート絶縁膜6上に形成されたゲート電極7とを備えている。そして、ゲート電極7の材料に、Siのフェルミ準位よりもボディ領域3のフェルミ準位に近いフェルミ準位を有するP型Poly-SiCが採用されている。【選択図】図3B
請求項（抜粋）：
導電型不純物が添加された材料からなる半導体領域と、
前記半導体領域の表面上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、少なくとも前記絶縁膜と接する部分がSiのフェルミ準位よりも前記半導体領域のフェルミ準位に近いフェルミ準位を有する材料からなり、導電性を有するゲート電極とを含む、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 21/336
H01L29/78 652K
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658E
