特許
J-GLOBAL ID：201103003406113712

窒化物半導体レーザ素子

発明者：
小崎 徳也

小崎 徳也 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-212851
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044570
特許番号：特許第4625998号
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に、少なくともn型窒化物半導体、障壁層とInを含んでなる井戸層とを有する量子井戸構造の活性層、及びp型窒化物半導体を順に積層してなる窒化物半導体レーザ素子において、 前記基板は窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板を備え、その上に第1の窒化物半導体を有し、その表面に凹凸が形成されており、 前記凹凸の凹部は、前記第1の窒化物半導体及び前記異種基板を削って形成されており、 前記異種基板は、前記異種基板の表面から500〜2000オングストロームの深さにまで削られて、前記凹部の底面に前記異種基板が露出されており、 前記活性層が、障壁層の膜厚が100オングストローム以上で、且つ井戸層の膜厚に対する障壁層の膜厚の比が[井戸層の膜厚:障壁層の膜厚]=[1:3〜10]である量子井戸構造であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
H01S 5/323 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01S 5/323 610
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • AlInGaN系半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-074220   出願人：富士写真フイルム株式会社
  • 窒化物半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-285406   出願人：日亜化学工業株式会社
審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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