特許
J-GLOBAL ID:201103003450369694

電磁界レンズの制御方法およびイオン注入装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 恵二
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-322510
公開番号(公開出願番号):特開2001-143651
特許番号:特許第3414337号
出願日: 1999年11月12日
公開日(公表日): 2001年05月25日
請求項(抜粋):
【請求項1】 荷電粒子ビームを集束または発散させる電磁界レンズを通過した荷電粒子ビームを電界または磁界によって走査して被照射物に照射する装置において、前記走査された荷電粒子ビームをファラデーカップで受けて、前記電磁界レンズに供給する電圧または電流を複数段階に変化させたときの各段階における当該荷電粒子ビームのビーム量および当該荷電粒子ビームの走査方向のビーム幅をそれぞれ測定し、この測定されたビーム量が、前記電磁界レンズに供給する電圧または電流を変化させた範囲内でのビーム量の最大値に近いときほど大きな値をとるビーム量評価値と、当該測定されたビーム幅が、基準となる幅に近いときほど大きな値をとるビーム幅評価値とをそれぞれ算出し、この二つの評価値に重み付けを行ってこれらを加算した総合評価値を算出し、この総合評価値が高くなるように前記電磁界レンズに供給する電圧または電流を制御する、ことを特徴とする電磁界レンズの制御方法。
IPC (5件):
H01J 37/21 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 603
FI (5件):
H01J 37/21 Z ,  C23C 14/48 B ,  H01J 37/317 C ,  H01L 21/265 603 B ,  H01L 21/265 T
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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