特許
J-GLOBAL ID：201103003664014346

炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶ウエハ、炭化珪素半導体素子の製造方法、炭化珪素半導体素子

発明者：
土田 秀一

土田 秀一 について

, 
星乃 紀博

星乃 紀博 について


出願人/特許権者：
財団法人電力中央研究所

財団法人電力中央研究所 について


代理人 (2件)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-126224
公開番号（公開出願番号）：特開2011-251868
出願日： 2010年06月01日
公開日（公表日）： 2011年12月15日
要約：
【課題】貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶ウエハに新たな炭化珪素単結晶層を形成する工程において、c軸方向に貫通する転位3を、基底面(0001)に沿った第1方向の欠陥に変換させ、第1方向に交差し、かつ基底面(0001)に沿った第2方向に欠陥の伝播方向を制御することで、単結晶基板中に含まれる貫通らせん転位3を基底面内欠陥4に構造転換し、基底面内欠陥4を結晶の外部に排出させ、元の炭化珪素単結晶基板よりも貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶層。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶の成長工程であって、 c軸方向に貫通する転位を、基底面(0001)に沿った第1方向の欠陥に変換させ、第1方向に交差し、かつ基底面(0001)に沿った第2方向に欠陥の伝播方向を制御する ことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (6件)：
C30B 29/36 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/02 ,  C23C 14/02 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/205
FI (6件)：
C30B29/36 A ,  C23C16/42 ,  C23C16/02 ,  C23C14/02 Z ,  C23C14/06 B ,  H01L21/205
Fターム (42件)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA06 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029AA29 ,  4K029BA56 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029FA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA04 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AF13 ,  5F045CA01 ,  5F045CA05 ,  5F045DA67 ,  5F045EB15
引用特許：
審査官引用 (6件)
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