導電性インゴットの外形加工方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：成瀬勝夫 , 中村智廣 , 鳥野正司 , 佐々木一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-110427
公開番号（公開出願番号）：特開2007-283411
出願日： 2006年04月13日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】硬脆性材料で且つ導電性のある良質の大口径インゴットに機械的ダメージを与えることなくインゴットの外形加工する方法を提供する。【解決手段】ワイヤー放電加工機を用いて、加工液中あるいは加工液をかけながらインゴット1とワーヤー2の間でアーク放電を起こし、ワイヤーを繰り出しながらほぼ円筒形の所望の形状にインゴットの外周をワイヤー放電加工機で除去することによって、インゴットの外形を加工する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性インゴットを、比抵抗2.5MΩ・cm以上の誘電体の加工液に浸け、あるいは、加工液をかけながら、ワイヤー放電加工機によって外形加工することを特徴とする導電性インゴットの外形加工方法。

IPC (4件)：

B23H 7/02 , B23H 9/00 , C30B 29/36 , C30B 33/00

FI (4件)：

B23H7/02 A , B23H9/00 Z , C30B29/36 A , C30B33/00

Fターム (9件)：

3C059AA01 , 3C059AB05 , 3C059HA00 , 4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BE08 , 4G077EB01 , 4G077FG13 , 4G077HA12

引用特許：

出願人引用 (1件)

シリコン単結晶インゴットの加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-257529 出願人：信越半導体株式会社, 信越化学工業株式会社

審査官引用 (11件)

半導体基板の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-354200 出願人：株式会社デンソー
放電加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-116893 出願人：株式会社ミツトヨ
炭化珪素製造方法、炭化珪素及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-182381 出願人：HOYA株式会社

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