特許
J-GLOBAL ID：201103004859620514

半導体装置

発明者：
松下 憲一

松下 憲一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-068986
公開番号（公開出願番号）：特開2011-204803
出願日： 2010年03月24日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：
【課題】半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】第1の主電極と、第1の主電極の上に設けられた第1導電型のベース層と、第1導電型のベース層の上に設けられ、交互に配列された第1導電型のバリア層および第2導電型の拡散層と、第1導電型のバリア層の上に設けられた第2導電型のベース層と、第2導電型のベース層および第1導電型のバリア層と、第2導電型の拡散層との間に絶縁膜を介して設けられたトレンチ状の第1および第2の導電体層と、第2導電型のベース層に接続された第2の主電極と、を備え、第1導電型のバリア層および第2導電型の拡散層の底面は、第1および第2の導電体層の下端よりも第1の主電極側に位置し、第1導電型のバリア層と第2導電型の拡散層とは、第1および第2の導電体層の先端近傍で超接合を形成していることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の主電極と、 前記第1の主電極の上に設けられた第1導電型のベース層と、 前記第1導電型のベース層の上に設けられ、交互に配列された第1導電型のバリア層および第2導電型の拡散層と、 前記第1導電型のバリア層の上に設けられた第2導電型のベース層と、 前記第2導電型のベース層および前記第1導電型のバリア層と、前記第2導電型の拡散層との間に絶縁膜を介して設けられたトレンチ状の第1の導電層および第2の導電層と、 前記第2導電型のベース層に接続された第2の主電極と、 を備え、 前記第1導電型のバリア層および前記第2導電型の拡散層の底面は、前記第1の導電体層および前記第2の導電体層の下端よりも前記第1の主電極側に位置し、 前記第1導電型のバリア層と前記第2導電型の拡散層とは、前記第1の導電体層および前記第2の導電体層の先端近傍で超接合を形成していることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/06
FI (10件)：
H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 655D ,  H01L29/78 652F ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/06 301D ,  H01L29/06 301F
Fターム (6件)：
5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07
引用特許：
審査官引用 (9件)
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