マイクロ波プラズマ中で誘電体層を製造する装置および方法

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：渡邉勇 , 小杉良二 , 廣澤哲也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-521472
公開番号（公開出願番号）：特表2011-530148
出願日： 2009年08月04日
公開日（公表日）： 2011年12月15日
要約：

マイクロ波プラズマを生成する装置、およびマイクロ波プラズマによって半導体基板を処理する装置および方法であって、マイクロ波プラズマ装置は、導電性材料からなる同軸の内部導体(21)と、少なくとも部分的に同軸の内部導体を囲むとともに同軸の内部導体から間隔をおいて配置された導電性材料からなる同軸の外部導体(22)とを備えた少なくとも1つの電極(21,22,23)と、前記同軸の内部導体(21)に接続されたプラズマ点火装置(23)とを備え、前記同軸の外部導体(22)は、同軸の外部導体が同軸の内部導体の長手方向の軸線に沿って同軸の内部導体(21)を完全に囲む少なくとも1つの第1部分領域(31)と、同軸の外部導体(22)が同軸の内部導体(21)を部分的に囲む少なくとも1つの別の部分領域(32)とを備え、マイクロ波発生器(20)によって発生したマイクロ波放射は同軸の内部導体(21)の長手方向の軸線にほぼ直交した少なくとも1つの別の部分領域(32)に出ることができる。

請求項（抜粋）：

マイクロ波発生器(20)に接続可能であり、導電性材料からなる同軸の内部導体(21)および導電性材料からなる同軸の外部導体(22)とを備えた少なくとも1つの電極(21,22,23)と、前記同軸の内部導体(21)に接続されたプラズマ点火装置(23)とを備え、前記同軸の外部導体は、前記同軸の内部導体を少なくとも部分的に囲み、かつ同軸の内部導体から間隔をおいて配置されているマイクロ波プラズマ装置において、前記同軸の外部導体(22)は、前記同軸の外部導体が前記同軸の内部導体の長手方向の軸線に沿って前記同軸の内部導体を完全に囲む少なくとも1つの第1領域(31)を備え、前記同軸の外部導体は、前記同軸の外部導体が部分的に前記同軸の内部導体(21)を囲む少なくとも1つの別の領域(32)を備え、前記少なくとも1つの電極(21,22,23)が前記マイクロ波発生器(20)に接続されるときに、マイクロ波発生器(20)によって発生したマイクロ波放射は前記同軸の内部導体(21)の長手方向の軸線にほぼ直角な前記少なくとも1つの別の領域(32)から出ることを特徴とするマイクロ波プラズマ装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 , H01J 37/32 , H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 21/306

FI (6件)：

H05H1/46 B , H01J37/32 , H01L21/31 C , H01L21/316 A , H01L21/302 101H , H01L21/302 101D

Fターム (39件)：

5F004AA15 , 5F004BA20 , 5F004BB14 , 5F004BB18 , 5F004BB24 , 5F004BB26 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA17 , 5F045AA09 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AF03 , 5F045DP04 , 5F045DP28 , 5F045EB06 , 5F045EH03 , 5F045EK13 , 5F045HA13 , 5F045HA23 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF54 , 5F058BF55 , 5F058BF73 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (6件)

プラズマ生成装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平11-500213 出願人：ライボルトシステムズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
励起された、および/またはイオン化された粒子をプラズマ内で発生するための装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-526335 出願人：アールスリーティー・ゲーエムベーハー・ラピッド・リアクティブ・ラジカルス・テクノロジ
特開平3-031480

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