特許
J-GLOBAL ID：201103005998612387

ドライエッチング方法

発明者：
田原 傑

田原 傑 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-174097
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007085
特許番号：特許第4641573号
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板を覆う絶縁膜の上に、ポリシリコン層にタングステン系導電材層を重ねた積層を形成する第1の工程と、 前記タングステン系導電材層の上に疎パターン領域におけるレジスト層の不存在領域と密パターン領域におけるレジスト層の不存在領域が形成されるように複数のレジスト層を形成する第2の工程と、 塩素含有ガス及び酸素ガスの第1混合ガスをエッチングガスとし且つ前記複数のレジスト層をマスクとするドライエッチングにより前記タングステン系導電材層をその厚さが前記疎パターン領域におけるレジスト層の不存在領域にてゼロ又はその近傍の値になるように且つ密パターン領域におけるレジスト層の不存在領域にて疎パターン領域におけるレジスト層の不存在領域の厚さより大きい値になるようにエッチングする第3の工程と、 前記第3の工程に続き、臭素含有ガスと塩素含有ガスと酸素ガスとの第2混合ガスをエッチングガスとし且つ前記複数のレジスト層をマスクとするドライエッチングによりタングステン系臭素系化合物で前記タングステン系導電材層のサイドエッチングを抑制しつつ前記密パターン領域におけるレジスト層の不存在領域のタングステン系導電材を除去することにより前記複数のレジスト層にそれぞれ対応したパターンを有する複数のタングステン系導電材層を形成する第4の工程とを含み、 前記第2混合ガスは、ポリシリコン層はエッチングせずにタングステン系導電材層をエッチングするガスであり、ポリシリコンに対するタングステン系導電材のエッチング選択比を高めることにより、前記第4の工程終了後に、前記疎パターン領域におけるレジスト層の不存在領域のタングステン系導電材と前記密パターン領域におけるレジスト層の不存在領域のタングステン系導電材とのエッチング速度の疎密パターン依存性をキャンセルするようにすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (1件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 21/302 105 B ,  H01L 21/302 104 Z
引用特許：
審査官引用 (8件)
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