特許
J-GLOBAL ID：201103006853392954

キャパシタ、集積装置、高周波切替装置及び電子機器

発明者：
清水 俊行

清水 俊行 について

, 
杉浦 政幸

杉浦 政幸 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-068761
公開番号（公開出願番号）：特開2011-204792
出願日： 2010年03月24日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：
【課題】能動素子で扱う信号の影響を抑制しつつ、十分な容量密度を得られるキャパシタ、集積装置、高周波切替装置及び電子機器を提供する。【解決手段】絶縁層12と、絶縁層12の上に設けられた半導体層13と、半導体層13において、能動素子が形成されるアクティブ領域とは電気的に分離して設けられたダミーアクティブ領域20と、を有する基板10と、基板10におけるダミーアクティブ領域20の上に、互いに対向して配置された第1電極31及び第2電極32と、第1電極31と、第2電極32と、の間に設けられた第1誘電体部40と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられ、能動素子が形成されるアクティブ領域とは電気的に分離して設けられたダミーアクティブ領域を含む半導体層と、を有する基板と、 前記ダミーアクティブ領域の上に、互いに対向して配置された第1電極及び第2電極と、 前記第1電極と、前記第2電極と、の間に設けられた第1誘電体部と、 を備えたことを特徴とするキャパシタ。
IPC (2件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (1件)：
H01L27/04 C
Fターム (9件)：
5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038EZ05 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-068807   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-353102   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-011948   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM