特許
J-GLOBAL ID：201103010365039525
III/V族化合物を堆積させる方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 山田 行一
, 池田 成人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-528152
公開番号（公開出願番号）：特表2010-541290
出願日： 2008年10月03日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：
【課題】 水素化物気相エピタキシー(HVPE)プロセスによってIII-V族の材料を形成する方法を提供する。【解決手段】 一実施形態において、処理チャンバ内の基板上に窒化ガリウム材料を形成する方法であって、金属源を加熱して、加熱された金属源を形成するステップであって、加熱された金属源が、ガリウム、アルミニウム、インジウム、その合金、又はこれらの組み合わせを含む、前記ステップと、加熱された金属源を塩素ガスにさらして、金属塩化物ガスを形成するステップと、基板を金属塩化物ガスと窒素前駆ガスにさらして、HVPEプロセス中、基板上に金属窒化物層を形成するステップとを含む、前記方法が提供される。前記方法は、更に、金属窒化物層を形成する前の前処理プロセス中、基板を塩素ガスにさらすステップを提供する。一例において、処理チャンバの排気コンジットは、前処理プロセス中、約200°C以下に加熱される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に窒化ガリウム材料を形成する方法であって、
固体金属ガリウム源を加熱して、液体金属ガリウム源を形成するステップと、
該液体金属ガリウム源を塩素ガス(Cl2)にさらして、塩化ガリウムガスを形成するステップと、
処理チャンバ内の基板を該塩化ガリウムガスとアンモニアを含む窒素前駆ガスにさらして、水素化物気相エピタキシープロセス中、基板上に窒化ガリウム層を形成するステップと、
を含む、前記方法
IPC (6件)：
H01L 21/205
, C30B 29/38
, C30B 25/14
, C23C 16/34
, H01L 33/32
, H01S 5/323
H01L21/205
, C30B29/38 D
, C30B25/14
, C23C16/34
, H01L33/00 186
, H01S5/323 610
4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077DB08
, 4G077EA06
, 4G077EE03
, 4G077EG27
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077TB04
, 4G077TB05
, 4G077TC01
, 4G077TC16
, 4G077TC17
, 4G077TC19
, 4G077TK10
, 4K030AA04
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA38
, 4K030BA47
, 4K030BB02
, 4K030CA05
, 4K030CA17
, 4K030DA02
, 4K030DA06
, 4K030EA01
, 4K030EA04
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030JA06
, 4K030JA10
, 4K030KA23
, 4K030KA46
, 4K030LA14
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F045AA02
, 5F045AA04
, 5F045AA06
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AE25
, 5F045CA11
, 5F045CA12
, 5F045DP15
, 5F045DP27
, 5F045DQ10
, 5F045EB06
, 5F045EF03
, 5F045EF08
, 5F045EK14
, 5F045HA03
, 5F045HA13
, 5F045HA23
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AP04
, 5F173AP06
, 5F173AQ06
, 5F173AQ12
, 5F173AQ13
, 5F173AQ14
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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