特許
J-GLOBAL ID：200903085127271616
半導体部材及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-002972
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184504
出願日： 2006年01月10日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：
【課題】凹凸を有する基板の凸部からの結晶の成長と凹部からの結晶の成長とが交差することを防止して、表面の転位密度が低い半導体部材を得る。【解決手段】この製造方法は、凹部10r及び凸部10pを有する基板10を準備する準備工程と、凸部10pの上に第1半導体11を成長させる第1成長工程と、第1半導体11から少なくとも横方向に第2半導体13を成長させる第2成長工程とを含む。凹部10rの底面から凸部10pの上面までの距離gは、凹部10rの幅aと等しいかそれより大きい。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体部材の製造方法であって、
凹部及び凸部を有する基板を準備する準備工程と、
前記凸部の上に第1半導体を成長させる第1成長工程と、
前記第1半導体から少なくとも横方向に第2半導体を成長させる第2成長工程と、
を含み、前記凹部の底面から前記凸部の上面までの距離が前記凹部の幅と等しいかそれより大きいことを特徴とする半導体部材の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/34
, H01L 33/00
, H01S 5/343
H01L21/205
, C23C16/34
, H01L33/00 C
, H01S5/343 610
4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030BB12
, 4K030CA05
, 4K030CA11
, 4K030CA12
, 4K030HA01
, 4K030LA14
, 5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA64
, 5F041CA76
, 5F045AA02
, 5F045AA03
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045BB12
, 5F045CA11
, 5F045DA53
, 5F045DB09
, 5F173AA08
, 5F173AH22
, 5F173AP04
, 5F173AP23
, 5F173AP33
, 5F173AP54
, 5F173AP82
, 5F173AQ05
, 5F173AR23
, 5F173AR82
, 5F173AR93
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (6件)
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